1N5622US

Microsemi Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	1N5622US
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A
Datenblätte:	1N5622US.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	13922 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 13922 pcs

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Spezifikationen von 1N5622US

Artikelnummer	1N5622US	Hersteller	Microsemi Corporation
Beschreibung	DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	13922 pcs	Datenblatt	1N5622US.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)	Standard	Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1A
Spannung - Durchschlag	D-5A	Serie	-
RoHS Status	Bulk	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Widerstand @ If, F	-	Polarisation	SQ-MELF, A
Betriebstemperatur - Anschluss	2µs	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller-Teilenummer	1N5622US
Expanded Beschreibung	Diode Standard 1000V (1kV) 1A Surface Mount D-5A	Diodenkonfiguration	500nA @ 1000V
Beschreibung	DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A	Strom - Sperrleckstrom @ Vr	1.3V @ 3A
Strom - Richt (Io) (pro Diode)	1000V (1kV)	Kapazität @ Vr, F	-65°C ~ 200°C

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