APL1001J

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APL1001J
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227
Datenblätte:	1.APL1001J.pdf 2.APL1001J.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3589 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3589 pcs

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Spezifikationen von APL1001J

Artikelnummer	APL1001J	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3589 pcs	Datenblatt	1.APL1001J.pdf 2.APL1001J.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	ISOTOP®
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	600 mOhm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)	520W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	SOT-227-4, miniBLOC	Andere Namen	APL1001JMI APL1001JMI-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7200pF @ 25V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 1000V 18A (Tc) 520W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	18A (Tc)

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