APT100GT120JRDQ4

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APT100GT120JRDQ4
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	IGBT 1200V 123A 570W SOT227
Datenblätte:	1.APT100GT120JRDQ4.pdf 2.APT100GT120JRDQ4.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	1987 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1987 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $18.446

10 pcs: $17.248

30 pcs: $15.952

100 pcs: $14.955

250 pcs: $13.958

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Spezifikationen von APT100GT120JRDQ4

Artikelnummer	APT100GT120JRDQ4	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	IGBT 1200V 123A 570W SOT227	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1987 pcs	Datenblatt	1.APT100GT120JRDQ4.pdf 2.APT100GT120JRDQ4.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	1200V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	3.7V @ 15V, 100A
Supplier Device-Gehäuse	ISOTOP®	Serie	Thunderbolt IGBT®
Leistung - max	570W	Verpackung / Gehäuse	ISOTOP
Andere Namen	APT100GT120JRDQ4MI APT100GT120JRDQ4MI-ND	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
NTC-Thermistor	No	Befestigungsart	Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE	7.85nF @ 25V	Eingang	Standard
IGBT-Typ	NPT	detaillierte Beschreibung	IGBT Module NPT Single 1200V 123A 570W Chassis Mount ISOTOP®
Strom - Collector Cutoff (Max)	200µA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	123A
Konfiguration	Single

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