APT26M100JCU3

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APT26M100JCU3
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227
Datenblätte:	APT26M100JCU3.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3329 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3329 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

100 pcs: $11.349

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Spezifikationen von APT26M100JCU3

Artikelnummer	APT26M100JCU3	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3329 pcs	Datenblatt	APT26M100JCU3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	SOT-227
Serie	POWER MOS 8™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	396 mOhm @ 18A, 10V
Verlustleistung (max)	543W (Tc)	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	SOT-227-4, miniBLOC	Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7868pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	305nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 1000V 26A (Tc) 543W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	26A (Tc)

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