APT31M100B2

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APT31M100B2
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
Datenblätte:	1.APT31M100B2.pdf 2.APT31M100B2.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6305 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6305 pcs

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Spezifikationen von APT31M100B2

Artikelnummer	APT31M100B2	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6305 pcs	Datenblatt	1.APT31M100B2.pdf 2.APT31M100B2.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	T-MAX™ [B2]
Serie	POWER MOS 8™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	380 mOhm @ 16A, 10V
Verlustleistung (max)	1040W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3 Variant	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8500pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	260nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 1000V 32A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	32A (Tc)

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