APT34F100L

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APT34F100L
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 1000V 35A TO264
Datenblätte:	APT34F100L.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4865 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4865 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

25 pcs: $7.788

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Spezifikationen von APT34F100L

Artikelnummer	APT34F100L	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 35A TO264	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4865 pcs	Datenblatt	APT34F100L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-264 [L]
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 18A, 10V
Verlustleistung (max)	1135W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-264-3, TO-264AA	Andere Namen	APT34F100LMI APT34F100LMI-ND
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	9835pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	305nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 1000V 35A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole TO-264 [L]	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	35A (Tc)

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