APT40SM120B

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APT40SM120B
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 1200V 41A TO247
Datenblätte:	APT40SM120B.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3326 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3326 pcs

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Spezifikationen von APT40SM120B

Artikelnummer	APT40SM120B	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET N-CH 1200V 41A TO247	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3326 pcs	Datenblatt	APT40SM120B.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA (Typ)	Vgs (Max)	+25V, -10V
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-247
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 20A, 20V
Verlustleistung (max)	273W (Tc)	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2560pF @ 1000V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	130nC @ 20V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 1200V 41A (Tc) 273W (Tc) Through Hole TO-247
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	41A (Tc)

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