APT50GT120LRDQ2G

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APT50GT120LRDQ2G
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	IGBT 1200V 106A 694W TO264
Datenblätte:	APT50GT120LRDQ2G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6044 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6044 pcs

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Spezifikationen von APT50GT120LRDQ2G

Artikelnummer	APT50GT120LRDQ2G	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	IGBT 1200V 106A 694W TO264	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6044 pcs	Datenblatt	APT50GT120LRDQ2G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	1200V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	3.7V @ 15V, 50A
Testbedingung	800V, 50A, 1 Ohm, 15V	Td (ein / aus) bei 25 ° C	23ns/215ns
Schaltenergie	2585µJ (on), 1910µJ (off)	Supplier Device-Gehäuse	TO-264 [L]
Serie	Thunderbolt IGBT®	Leistung - max	694W
Verpackung	Tube	Verpackung / Gehäuse	TO-264-3, TO-264AA
Andere Namen	APT50GT120LRDQ2GMI APT50GT120LRDQ2GMI-ND	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabetyp	Standard
IGBT-Typ	NPT	Gate-Ladung	240nC
detaillierte Beschreibung	IGBT NPT 1200V 106A 694W Through Hole TO-264 [L]	Strom - Collector Pulsed (Icm)	150A
Strom - Kollektor (Ic) (max)	106A

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