APT7M120S

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APT7M120S
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK
Datenblätte:	APT7M120S.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	12065 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 12065 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von APT7M120S

Artikelnummer	APT7M120S	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	12065 pcs	Datenblatt	APT7M120S.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D3Pak
Serie	POWER MOS 8™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1 Ohm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)	335W (Tc)	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2565pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 1200V 8A (Tc) 335W (Tc) Surface Mount D3Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8A (Tc)

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