APT80M60J

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APT80M60J
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
Datenblätte:	1.APT80M60J.pdf 2.APT80M60J.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	1658 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1658 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von APT80M60J

Artikelnummer	APT80M60J	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1658 pcs	Datenblatt	1.APT80M60J.pdf 2.APT80M60J.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 5mA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	ISOTOP®
Serie	POWER MOS 8™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 60A, 10V
Verlustleistung (max)	960W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	SOT-227-4, miniBLOC	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	24000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	600nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 600V 84A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	84A (Tc)

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