APT8M80K

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APT8M80K
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
Datenblätte:	1.APT8M80K.pdf 2.APT8M80K.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4722 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4722 pcs

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Spezifikationen von APT8M80K

Artikelnummer	APT8M80K	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 8A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4722 pcs	Datenblatt	1.APT8M80K.pdf 2.APT8M80K.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 500µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220 [K]
Serie	POWER MOS 8™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.35 Ohm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max)	225W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1335pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 800V 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8A (Tc)

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