APTC80H29T3G

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTC80H29T3G
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3
Datenblätte:	1.APTC80H29T3G.pdf 2.APTC80H29T3G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	2582 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2582 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

100 pcs: $11.263

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Spezifikationen von APTC80H29T3G

Artikelnummer	APTC80H29T3G	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	2582 pcs	Datenblatt	1.APTC80H29T3G.pdf 2.APTC80H29T3G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3.9V @ 1mA	Supplier Device-Gehäuse	SP3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 7.5A, 10V
Leistung - max	156W	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	SP3	Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2254pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 10V	Typ FET	4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Merkmal	Standard	Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 800V 15A 156W Chassis Mount SP3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	15A

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