APTCV40H60CT1G

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTCV40H60CT1G
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP1
Datenblätte:	1.APTCV40H60CT1G.pdf 2.APTCV40H60CT1G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	1822 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1822 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

100 pcs: $15.896

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Spezifikationen von APTCV40H60CT1G

Artikelnummer	APTCV40H60CT1G	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	IGBT TRENCH FULL BRIDGE SP1	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1822 pcs	Datenblatt	1.APTCV40H60CT1G.pdf 2.APTCV40H60CT1G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	600V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device-Gehäuse	SP1	Serie	-
Leistung - max	176W	Verpackung / Gehäuse	SP1
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)	NTC-Thermistor	Yes
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingangskapazität (Cíes) @ VCE	3.15nF @ 25V
Eingang	Standard	IGBT-Typ	Trench Field Stop
detaillierte Beschreibung	IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP1	Strom - Collector Cutoff (Max)	250µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	80A	Konfiguration	Full Bridge

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