APTGT100DH170G

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTGT100DH170G
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
Datenblätte:
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4081 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4081 pcs

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Spezifikationen von APTGT100DH170G

Artikelnummer	APTGT100DH170G	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4081 pcs	Datenblatt
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	1700V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2.4V @ 15V, 100A
Supplier Device-Gehäuse	SP6	Serie	-
Leistung - max	560W	Verpackung / Gehäuse	SP6
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)	NTC-Thermistor	No
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingangskapazität (Cíes) @ VCE	9nF @ 25V
Eingang	Standard	IGBT-Typ	Trench Field Stop
detaillierte Beschreibung	IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1700V 150A 560W Chassis Mount SP6	Strom - Collector Cutoff (Max)	350µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	150A	Konfiguration	Asymmetrical Bridge

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