APTGT100SK120D1G

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTGT100SK120D1G
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	IGBT 1200V 150A 520W D1
Datenblätte:	1.APTGT100SK120D1G.pdf 2.APTGT100SK120D1G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6055 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6055 pcs

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Spezifikationen von APTGT100SK120D1G

Artikelnummer	APTGT100SK120D1G	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	IGBT 1200V 150A 520W D1	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6055 pcs	Datenblatt	1.APTGT100SK120D1G.pdf 2.APTGT100SK120D1G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	1200V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 100A
Supplier Device-Gehäuse	D1	Serie	-
Leistung - max	520W	Verpackung / Gehäuse	D1
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)	NTC-Thermistor	No
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingangskapazität (Cíes) @ VCE	7nF @ 25V
Eingang	Standard	IGBT-Typ	Trench Field Stop
detaillierte Beschreibung	IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 150A 520W Chassis Mount D1	Strom - Collector Cutoff (Max)	3mA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	150A	Konfiguration	Single

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