APTGT200A120G

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTGT200A120G
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6
Datenblätte:	1.APTGT200A120G.pdf 2.APTGT200A120G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	743 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 743 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $42.831

10 pcs: $40.03

25 pcs: $38.631

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Spezifikationen von APTGT200A120G

Artikelnummer	APTGT200A120G	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	743 pcs	Datenblatt	1.APTGT200A120G.pdf 2.APTGT200A120G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	1200V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 200A
Supplier Device-Gehäuse	SP6	Serie	-
Leistung - max	890W	Verpackung / Gehäuse	SP6
Andere Namen	APTGT200A120GMI APTGT200A120GMI-ND	Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC-Thermistor	No	Befestigungsart	Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingangskapazität (Cíes) @ VCE	14nF @ 25V	Eingang	Standard
IGBT-Typ	Trench Field Stop	detaillierte Beschreibung	IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
Strom - Collector Cutoff (Max)	350µA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	280A
Konfiguration	Half Bridge

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