APTGT25H120T1G

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTGT25H120T1G
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
Datenblätte:	1.APTGT25H120T1G.pdf 2.APTGT25H120T1G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5933 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5933 pcs

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Spezifikationen von APTGT25H120T1G

Artikelnummer	APTGT25H120T1G	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5933 pcs	Datenblatt	1.APTGT25H120T1G.pdf 2.APTGT25H120T1G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	1200V	VCE (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device-Gehäuse	SP1	Serie	-
Leistung - max	156W	Verpackung / Gehäuse	SP1
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)	NTC-Thermistor	Yes
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingangskapazität (Cíes) @ VCE	1.8nF @ 25V
Eingang	Standard	IGBT-Typ	Trench Field Stop
detaillierte Beschreibung	IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 40A 156W Chassis Mount SP1	Strom - Collector Cutoff (Max)	250µA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	40A	Konfiguration	Full Bridge Inverter

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