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APTGT75DA120D1G

MicrosemiMicrosemi
Microsemi
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Produktübersicht

Artikelnummer: APTGT75DA120D1G
Hersteller / Marke: Microsemi
Produktbeschreibung IGBT 1200V 110A 357W D1
Datenblätte: APTGT75DA120D1G.pdf
RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers 5238 pcs stock
Liefern von Hongkong
Versandweg DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 5238 pcs
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Spezifikationen von APTGT75DA120D1G

Artikelnummer APTGT75DA120D1G Hersteller Microsemi
Beschreibung IGBT 1200V 110A 357W D1 Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 5238 pcs Datenblatt APTGT75DA120D1G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 1200V VCE (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device-Gehäuse D1 Serie -
Leistung - max 357W Verpackung / Gehäuse D1
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) NTC-Thermistor No
Befestigungsart Chassis Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingangskapazität (Cíes) @ VCE 5345nF @ 25V
Eingang Standard IGBT-Typ Trench Field Stop
detaillierte Beschreibung IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount D1 Strom - Collector Cutoff (Max) 4mA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 110A Konfiguration Single

Lieferung

★ KOSTENLOSER VERSAND ÜBER DHL / FEDEX / UPS BEI BESTELLUNG ÜBER 1.000 USD.
(NUR FÜR integrierte Schaltungen, Schaltungsschutz, HF / ZF und RFID, Optoelektronik, Sensoren, Wandler, Transformatoren, Isolatoren, Schalter, Relais)

FEDEX www.FedEx.com Die Grundgebühr für den Versand von 35,00 $ hängt von der Zone und dem Land ab.
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