APTM100A12STG

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTM100A12STG
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
Datenblätte:	APTM100A12STG.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	5717 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5717 pcs

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Spezifikationen von APTM100A12STG

Artikelnummer	APTM100A12STG	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	5717 pcs	Datenblatt	APTM100A12STG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 10mA	Supplier Device-Gehäuse	SP3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 34A, 10V
Leistung - max	1250W	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	SP3	Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	17400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	616nC @ 10V	Typ FET	2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal	Standard	Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000V (1kV)
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 68A 1250W Chassis Mount SP3	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	68A

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