APTM10DHM05G

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTM10DHM05G
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6
Datenblätte:	1.APTM10DHM05G.pdf 2.APTM10DHM05G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	973 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 973 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

100 pcs: $39.104

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Spezifikationen von APTM10DHM05G

Artikelnummer	APTM10DHM05G	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	973 pcs	Datenblatt	1.APTM10DHM05G.pdf 2.APTM10DHM05G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 5mA	Supplier Device-Gehäuse	SP6
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 125A, 10V
Leistung - max	780W	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	SP6	Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	20000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	700nC @ 10V	Typ FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Merkmal	Standard	Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 100V 278A 780W Chassis Mount SP6	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	278A

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