APTM120H140FT1G

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTM120H140FT1G
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
Datenblätte:	1.APTM120H140FT1G.pdf 2.APTM120H140FT1G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	2539 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2539 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

100 pcs: $14.434

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Spezifikationen von APTM120H140FT1G

Artikelnummer	APTM120H140FT1G	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	2539 pcs	Datenblatt	1.APTM120H140FT1G.pdf 2.APTM120H140FT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA	Supplier Device-Gehäuse	SP1
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.68 Ohm @ 7A, 10V
Leistung - max	208W	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	SP1	Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3812pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	145nC @ 10V	Typ FET	4 N-Channel (H-Bridge)
FET-Merkmal	Standard	Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1.2kV)
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 8A 208W Chassis Mount SP1	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8A

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