APTM20DHM20TG

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTM20DHM20TG
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4
Datenblätte:	APTM20DHM20TG.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4295 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4295 pcs

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Spezifikationen von APTM20DHM20TG

Artikelnummer	APTM20DHM20TG	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 200V 89A SP4	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4295 pcs	Datenblatt	APTM20DHM20TG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA	Supplier Device-Gehäuse	SP4
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 44.5A, 10V
Leistung - max	357W	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	SP4	Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6850pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	112nC @ 10V	Typ FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET-Merkmal	Standard	Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 200V 89A 357W Chassis Mount SP4	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	89A

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