APTM20TDUM16PG

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTM20TDUM16PG
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P
Datenblätte:	APTM20TDUM16PG.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4140 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4140 pcs

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Spezifikationen von APTM20TDUM16PG

Artikelnummer	APTM20TDUM16PG	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4140 pcs	Datenblatt	APTM20TDUM16PG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA	Supplier Device-Gehäuse	SP6-P
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	19 mOhm @ 52A, 10V
Leistung - max	390W	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	SP6	Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	7220pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	140nC @ 10V	Typ FET	6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET-Merkmal	Standard	Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 200V 104A 390W Chassis Mount SP6-P	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	104A

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