APTM50H15FT1G

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTM50H15FT1G
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1
Datenblätte:	1.APTM50H15FT1G.pdf 2.APTM50H15FT1G.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	2359 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2359 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von APTM50H15FT1G

Artikelnummer	APTM50H15FT1G	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	2359 pcs	Datenblatt	1.APTM50H15FT1G.pdf 2.APTM50H15FT1G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA	Supplier Device-Gehäuse	SP1
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 21A, 10V
Leistung - max	208W	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	SP1	Andere Namen	APTM50H15UT1G APTM50H15UT1G-ND
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5448pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	170nC @ 10V
Typ FET	4 N-Channel (H-Bridge)	FET-Merkmal	Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 25A 208W Chassis Mount SP1
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	25A

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