APTMC60TLM14CAG

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTMC60TLM14CAG
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C
Datenblätte:	APTMC60TLM14CAG.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	67 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 67 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

100 pcs: $573.719

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Spezifikationen von APTMC60TLM14CAG

Artikelnummer	APTMC60TLM14CAG	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	67 pcs	Datenblatt	APTMC60TLM14CAG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2.4V @ 30mA (Typ)	Supplier Device-Gehäuse	SP6
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 150A, 20V
Leistung - max	925W	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	SP6	Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8400pF @ 1000V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	483nC @ 20V	Typ FET	4 N-Channel (Three Level Inverter)
FET-Merkmal	Silicon Carbide (SiC)	Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1.2kV)
detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 4 N-Channel (Three Level Inverter) 1200V (1.2kV) 219A (Tc) 925W Chassis Mount SP6	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	219A (Tc)

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