APTSM120AM09CD3AG

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	APTSM120AM09CD3AG
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE
Datenblätte:
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	142 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 142 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

100 pcs: $216.312

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Spezifikationen von APTSM120AM09CD3AG

Artikelnummer	APTSM120AM09CD3AG	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	142 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 9mA	Supplier Device-Gehäuse	Module
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 180A, 20V
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	Module
Betriebstemperatur	-40°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	23000pF @ 1000V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1224nC @ 20V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V (1.2kV)	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 337A (Tc) Chassis Mount Module
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	337A (Tc)

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