JAN1N5811URS

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	JAN1N5811URS
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG
Datenblätte:	JAN1N5811URS.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	4332 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4332 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

100 pcs: $6.837

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Spezifikationen von JAN1N5811URS

Artikelnummer	JAN1N5811URS	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	4332 pcs	Datenblatt	JAN1N5811URS.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	875mV @ 4A	Spannung - Sperr (Vr) (max)	150V
Supplier Device-Gehäuse	B, SQ-MELF	Geschwindigkeit	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	Military, MIL-PRF-19500/477	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	30ns
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	SQ-MELF, B
Andere Namen	1086-19444 1086-19444-MIL	Betriebstemperatur - Anschluss	-65°C ~ 175°C
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant	Diodentyp	Standard
detaillierte Beschreibung	Diode Standard 150V 3A Surface Mount B, SQ-MELF	Strom - Sperrleckstrom @ Vr	5µA @ 150V
Strom - Richt (Io)	3A	Kapazität @ Vr, F	60pF @ 10V, 1MHz

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