Artikelnummer | JAN2N3019S | Hersteller | Microsemi |
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Beschreibung | TRANS NPN 80V 1A | Bleifreier Status / RoHS Status | Enthält Blei / RoHS nicht konform |
Verfügbare Menge | 3750 pcs | Datenblatt | JAN2N3019S.pdf |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 80V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
Transistor-Typ | NPN | Supplier Device-Gehäuse | TO-39 |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/391 | Leistung - max | 800mW |
Verpackung | Bulk | Verpackung / Gehäuse | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Andere Namen | 1086-2341 1086-2341-MIL Q8035503 Q8545273 |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Contains lead / RoHS non-compliant | Frequenz - Übergang | - |
detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 800mW Through Hole TO-39 | DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 50 @ 500mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 10nA | Strom - Kollektor (Ic) (max) | 1A |
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