JAN2N6770

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	JAN2N6770
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
Datenblätte:	JAN2N6770.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	4095 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4095 pcs

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Spezifikationen von JAN2N6770

Artikelnummer	JAN2N6770	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	MOSFET N-CH TO-204AE TO-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	4095 pcs	Datenblatt	JAN2N6770.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-204AE (TO-3)
Serie	Military, MIL-PRF-19500/543	Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (max)	4W (Ta), 150W (Tc)	Verpackung	Bulk
Verpackung / Gehäuse	TO-204AE	Andere Namen	JAN2N6770-MIL
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 500V 12A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-204AE (TO-3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	12A (Tc)

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