JANS2N3810L/TR

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	JANS2N3810L/TR
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	BJTS
Datenblätte:	JANS2N3810L/TR.pdf
Zustand des Lagers	776 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spezifikationen von JANS2N3810L/TR

Artikelnummer	JANS2N3810L/TR	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	BJTS	Bleifreier Status / RoHS Status
Verfügbare Menge	776 pcs	Datenblatt	JANS2N3810L/TR.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	60V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 100µA, 1mA
Transistor-Typ	2 PNP (Dual)	Supplier Device-Gehäuse	TO-78
Serie	Military, MIL-PRF-19500/336	Leistung - max	350mW
Verpackung / Gehäuse	TO-78-6 Metal Can	Andere Namen	JANS2N3810L/TRMS
Betriebstemperatur	-65°C ~ 200°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Frequenz - Übergang	-	detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	150 @ 1mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	10µA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)	50mA

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