JANSR2N3440

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	JANSR2N3440
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	RH POWER BJT
Datenblätte:	JANSR2N3440.pdf
RoHS Status	RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	535 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 535 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von JANSR2N3440

Artikelnummer	JANSR2N3440	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	RH POWER BJT	Bleifreier Status / RoHS Status	RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	535 pcs	Datenblatt	JANSR2N3440.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	250V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 4mA, 50mA
Transistor-Typ	NPN	Supplier Device-Gehäuse	TO-39
Serie	Military, MIL-PRF-19500/368	RoHS-Status	RoHS non-compliant
Verpackung / Gehäuse	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can	Betriebstemperatur	-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Frequenz - Übergang	-
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 1A Through Hole TO-39	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	40 @ 20mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)	2µA	Strom - Kollektor (Ic) (max)	1A

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