JANTX1N647-1

Microsemi Corporation

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Produktübersicht

Artikelnummer:	JANTX1N647-1
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35
Datenblätte:	JANTX1N647-1.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	5727 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5727 pcs

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Spezifikationen von JANTX1N647-1

Artikelnummer	JANTX1N647-1	Hersteller	Microsemi Corporation
Beschreibung	DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	5727 pcs	Datenblatt	JANTX1N647-1.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)	Standard	Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	400mA
Spannung - Durchschlag	DO-35	Serie	Military, MIL-PRF-19500/240
RoHS Status	Bulk	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Widerstand @ If, F	-	Polarisation	DO-204AH, DO-35, Axial
Andere Namen	1086-15976 1086-15976-MIL	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller-Teilenummer	JANTX1N647-1
Expanded Beschreibung	Diode Standard 400V 400mA Through Hole DO-35	Diodenkonfiguration	50nA @ 400V
Beschreibung	DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35	Strom - Sperrleckstrom @ Vr	1V @ 400mA
Strom - Richt (Io) (pro Diode)	400V	Kapazität @ Vr, F	-65°C ~ 175°C

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