JANTXV1N6625US

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	JANTXV1N6625US
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A
Datenblätte:	JANTXV1N6625US.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	4128 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4128 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

100 pcs: $7.813

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Spezifikationen von JANTXV1N6625US

Artikelnummer	JANTXV1N6625US	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	4128 pcs	Datenblatt	JANTXV1N6625US.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1.75V @ 1A	Spannung - Sperr (Vr) (max)	1100V
Supplier Device-Gehäuse	D-5A	Geschwindigkeit	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	Military, MIL-PRF-19500/585	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	60ns
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	SQ-MELF, A
Andere Namen	1086-3030 1086-3030-MIL	Betriebstemperatur - Anschluss	-65°C ~ 150°C
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant	Diodentyp	Standard
detaillierte Beschreibung	Diode Standard 1100V 1A Surface Mount D-5A	Strom - Sperrleckstrom @ Vr	1µA @ 1100V
Strom - Richt (Io)	1A	Kapazität @ Vr, F	-

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