JANTXV1N6628US

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	JANTXV1N6628US
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B
Datenblätte:	JANTXV1N6628US.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	2899 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2899 pcs

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Spezifikationen von JANTXV1N6628US

Artikelnummer	JANTXV1N6628US	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	2899 pcs	Datenblatt	JANTXV1N6628US.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1.35V @ 2A	Spannung - Sperr (Vr) (max)	660V
Supplier Device-Gehäuse	D-5B	Geschwindigkeit	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	Military, MIL-PRF-19500/590	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	30ns
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	SQ-MELF, E
Andere Namen	1086-3036 1086-3036-MIL	Betriebstemperatur - Anschluss	-65°C ~ 150°C
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant	Diodentyp	Standard
detaillierte Beschreibung	Diode Standard 660V 1.75A Surface Mount D-5B	Strom - Sperrleckstrom @ Vr	2µA @ 660V
Strom - Richt (Io)	1.75A	Kapazität @ Vr, F	40pF @ 10V, 1MHz

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