JANTXV2N6352

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	JANTXV2N6352
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	TRANS NPN DARL 80V 5A TO-33
Datenblätte:	JANTXV2N6352.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	4098 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4098 pcs

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Spezifikationen von JANTXV2N6352

Artikelnummer	JANTXV2N6352	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	TRANS NPN DARL 80V 5A TO-33	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	4098 pcs	Datenblatt	JANTXV2N6352.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	80V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 5mA, 5A
Transistor-Typ	NPN - Darlington	Supplier Device-Gehäuse	TO-66 (TO-213AA)
Serie	Military, MIL-PRF-19500/472	Leistung - max	2W
Verpackung	Bulk	Verpackung / Gehäuse	TO-213AA, TO-66-2
Andere Namen	1086-16203 1086-16203-MIL	Betriebstemperatur	-65°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant	Frequenz - Übergang	-
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 5A 2W Through Hole TO-66 (TO-213AA)	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	2000 @ 5A, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)	-	Strom - Kollektor (Ic) (max)	5A

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