SG2013J-883B

Microsemi

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Produktübersicht

Artikelnummer:	SG2013J-883B
Hersteller / Marke:	Microsemi
Produktbeschreibung	TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
Datenblätte:	SG2013J-883B.pdf
RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Zustand des Lagers	1329 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1329 pcs

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Spezifikationen von SG2013J-883B

Artikelnummer	SG2013J-883B	Hersteller	Microsemi
Beschreibung	TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP	Bleifreier Status / RoHS Status	Enthält Blei / RoHS nicht konform
Verfügbare Menge	1329 pcs	Datenblatt	SG2013J-883B.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	1.9V @ 600µA, 500mA
Transistor-Typ	7 NPN Darlington	Supplier Device-Gehäuse	16-CDIP
Serie	-	Leistung - max	-
Verpackung	Tube	Verpackung / Gehäuse	-
Andere Namen	1259-1108 1259-1108-MIL	Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Contains lead / RoHS non-compliant	Frequenz - Übergang	-
detaillierte Beschreibung	Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP	DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	900 @ 500mA, 2V
Strom - Collector Cutoff (Max)	-	Strom - Kollektor (Ic) (max)	600mA

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