| Artikelnummer | SG2803J-DESC | Hersteller | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Beschreibung | TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP | Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 3289 pcs | Datenblatt | SG2803J-DESC.pdf |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V | VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| Transistor-Typ | 8 NPN Darlington | Supplier Device-Gehäuse | 18-CDIP |
| Serie | - | Leistung - max | - |
| Verpackung | Tube | Verpackung / Gehäuse | - |
| Andere Namen | 1259-1085 1259-1085-MIL 5962-8605801VA Q10830625 SG2803JDESC |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Befestigungsart | Through Hole | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant | Frequenz - Übergang | - |
| detaillierte Beschreibung | Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-CDIP | DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 1000 @ 350mA, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | - | Strom - Kollektor (Ic) (max) | 500mA |
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|---|---|---|
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