PMDPB28UN,115

NXP Semiconductors / Freescale

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Produktübersicht

Artikelnummer:	PMDPB28UN,115
Hersteller / Marke:	NXP Semiconductors / Freescale
Produktbeschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6
Datenblätte:
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6234 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6234 pcs

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Spezifikationen von PMDPB28UN,115

Artikelnummer	PMDPB28UN,115	Hersteller	NXP Semiconductors / Freescale
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 4.6A HUSON6	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6234 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Supplier Device-Gehäuse	DFN2020-6
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	37 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Leistung - max	510mW	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	6-UDFN Exposed Pad	Andere Namen	568-10755-1
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	265pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.7nC @ 4.5V
Typ FET	2 N-Channel (Dual)	FET-Merkmal	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20V	detaillierte Beschreibung	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.6A 510mW Surface Mount DFN2020-6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.6A

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