PSMN014-60LS,115

NXP Semiconductors / Freescale

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Produktübersicht

Artikelnummer:	PSMN014-60LS,115
Hersteller / Marke:	NXP Semiconductors / Freescale
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 60V QFN3333
Datenblätte:
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	3565 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3565 pcs

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Spezifikationen von PSMN014-60LS,115

Artikelnummer	PSMN014-60LS,115	Hersteller	NXP Semiconductors / Freescale
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V QFN3333	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	3565 pcs	Datenblatt
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	8-DFN3333 (3.3x3.3)
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	14 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)	65W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	8-VDFN Exposed Pad	Andere Namen	568-5308-2 934064652115
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1264pF @ 30V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.6nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 60V 40A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount 8-DFN3333 (3.3x3.3)	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	40A (Tc)

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