PDTD113ZQAZ

Nexperia

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Produktübersicht

Artikelnummer:	PDTD113ZQAZ
Hersteller / Marke:	Nexperia
Produktbeschreibung	TRANS PREBIAS NPN 3DFN
Datenblätte:	PDTD113ZQAZ.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	1764154 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1764154 pcs

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Spezifikationen von PDTD113ZQAZ

Artikelnummer	PDTD113ZQAZ	Hersteller	Nexperia
Beschreibung	TRANS PREBIAS NPN 3DFN	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1764154 pcs	Datenblatt	PDTD113ZQAZ.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)	50V	VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic	100mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor-Typ	NPN - Pre-Biased	Supplier Device-Gehäuse	DFN1010D-3
Serie	Automotive, AEC-Q101	Widerstand - Emitterbasis (R2)	10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)	1 kOhms	Leistung - max	325mW
Verpackung	Tape & Reel (TR)	Verpackung / Gehäuse	3-XDFN Exposed Pad
Andere Namen	934069272147	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang	210MHz	detaillierte Beschreibung	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 210MHz 325mW Surface Mount DFN1010D-3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE	70 @ 50mA, 5V	Strom - Collector Cutoff (Max)	500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)	500mA

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