PMV45EN2VL

Nexperia

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Produktübersicht

Artikelnummer:	PMV45EN2VL
Hersteller / Marke:	Nexperia
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB
Datenblätte:	PMV45EN2VL.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	984402 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 984402 pcs

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Spezifikationen von PMV45EN2VL

Artikelnummer	PMV45EN2VL	Hersteller	Nexperia
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 5.1A TO236AB	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	984402 pcs	Datenblatt	PMV45EN2VL.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-236AB
Serie	TrenchMOS™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	42 mOhm @ 4.1A, 10V
Verlustleistung (max)	510mW (Ta)	Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen	934068494235	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	209pF @ 15V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.3nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 5.1A (Ta) 510mW (Ta) Surface Mount TO-236AB	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	5.1A (Ta)

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