PMXB56EN

Nexperia

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Produktübersicht

Artikelnummer:	PMXB56EN
Hersteller / Marke:	Nexperia
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
Datenblätte:	PMXB56EN.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4871 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4871 pcs

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Spezifikationen von PMXB56EN

Artikelnummer	PMXB56EN	Hersteller	Nexperia
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4871 pcs	Datenblatt	PMXB56EN.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	DFN1010D-3
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	55 mOhm @ 3.2A, 10V
Verlustleistung (max)	400mW (Ta), 8.33W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	3-XDFN Exposed Pad	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	209pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.3nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3.2A (Ta)

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