SK8603190L

Panasonic

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Produktübersicht

Artikelnummer:	SK8603190L
Hersteller / Marke:	Panasonic
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 30V 12A 8HSO
Datenblätte:	SK8603190L.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	77488 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 77488 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $0.397

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Spezifikationen von SK8603190L

Artikelnummer	SK8603190L	Hersteller	Panasonic
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 12A 8HSO	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	77488 pcs	Datenblatt	SK8603190L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 1.01mA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	HSO8-F4-B
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 8A, 10V
Verlustleistung (max)	2.7W (Ta), 19W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	8-PowerSMD, Flat Leads	Andere Namen	P16271CT
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1092pF @ 10V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.3nC @ 4.5V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 30V 12A (Ta), 19A (Tc) 2.7W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount HSO8-F4-B	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	12A (Ta), 19A (Tc)

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