RMPG06BHE3_A/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Produktübersicht

Artikelnummer:	RMPG06BHE3_A/54
Hersteller / Marke:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Produktbeschreibung	DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06
Datenblätte:	RMPG06BHE3_A/54.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	1035666 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1035666 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

16500 pcs: $0.034

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Spezifikationen von RMPG06BHE3_A/54

Artikelnummer	RMPG06BHE3_A/54	Hersteller	Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung	DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	1035666 pcs	Datenblatt	RMPG06BHE3_A/54.pdf
Spannung - Spitzensperr- (max)	Standard	Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If	1A
Spannung - Durchschlag	MPG06	Serie	-
RoHS Status	Tape & Reel (TR)	Rückwärts-Erholzeit (Trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Widerstand @ If, F	6.6pF @ 4V, 1MHz	Polarisation	MPG06, Axial
Betriebstemperatur - Anschluss	150ns	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)	1 (Unlimited)	Hersteller-Teilenummer	RMPG06BHE3_A/54
Expanded Beschreibung	Diode Standard 100V 1A Through Hole MPG06	Diodenkonfiguration	5µA @ 100V
Beschreibung	DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06	Strom - Sperrleckstrom @ Vr	1.3V @ 1A
Strom - Richt (Io) (pro Diode)	100V	Kapazität @ Vr, F	-55°C ~ 150°C

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