IRF634

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	IRF634
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 250V 8A TO-220
Datenblätte:	IRF634.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	129942 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 129942 pcs

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Spezifikationen von IRF634

Artikelnummer	IRF634	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 250V 8A TO-220	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	129942 pcs	Datenblatt	IRF634.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	TO-220AB
Serie	MESH OVERLAY™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	450 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max)	80W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-220-3	Andere Namen	IRF634ST
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	770pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51.8nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	250V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 250V 8A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8A (Tc)

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