PD20010-E

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	PD20010-E
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Datenblätte:	PD20010-E.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	4540 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4540 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $6.382

50 pcs: $5.62

100 pcs: $4.952

500 pcs: $4.405

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Spezifikationen von PD20010-E

Artikelnummer	PD20010-E	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	4540 pcs	Datenblatt	PD20010-E.pdf
Spannung - Prüfung	13.6V	Spannung - Nennwert	40V
Transistor-Typ	LDMOS	Supplier Device-Gehäuse	PowerSO-10RF (Formed Lead)
Serie	-	Leistung	10W
Verpackung	Tube	Verpackung / Gehäuse	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Andere Namen	497-13044-5 PD20010-E-ND PD20010E	Rauschmaß	-
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	3 (168 Hours)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Gewinnen	11dB	Frequenz	2GHz
detaillierte Beschreibung	RF Mosfet LDMOS 13.6V 150mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF (Formed Lead)	Aktuelle Bewertung	5A
Strom - Test	150mA	Basisteilenummer	PD20010

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Nach dem Verkauf
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