SCT10N120

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	SCT10N120
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3
Datenblätte:	1.SCT10N120.pdf 2.SCT10N120.pdf 3.SCT10N120.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	6736 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6736 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

1 pcs: $4.359

10 pcs: $4.007

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Spezifikationen von SCT10N120

Artikelnummer	SCT10N120	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	6736 pcs	Datenblatt	1.SCT10N120.pdf 2.SCT10N120.pdf 3.SCT10N120.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA	Vgs (Max)	+25V, -10V
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)	Supplier Device-Gehäuse	HiP247™
Serie	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	690 mOhm @ 6A, 20V
Verlustleistung (max)	150W (Tc)	Verpackung	Tube
Verpackung / Gehäuse	TO-247-3	Andere Namen	497-16597-5
Betriebstemperatur	-55°C ~ 200°C (TJ)	Befestigungsart	Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 400V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 20V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	20V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 1200V 12A (Tc) 150W (Tc) Through Hole HiP247™	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	12A (Tc)

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★ Lieferzeit dauert 2-4 Tage in die meisten Länder der Welt durch DHL / UPS / FEDEX / TNT.

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