STB10LN80K5

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STB10LN80K5
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK
Datenblätte:	1.STB10LN80K5.pdf 2.STB10LN80K5.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	57959 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 57959 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von STB10LN80K5

Artikelnummer	STB10LN80K5	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 800V 8A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	57959 pcs	Datenblatt	1.STB10LN80K5.pdf 2.STB10LN80K5.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	5V @ 100µA	Vgs (Max)	±30V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D2PAK
Serie	MDmesh™ K5	Rds On (Max) @ Id, Vgs	630 mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (max)	110W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant	Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	427pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V	Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-	Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800V	detaillierte Beschreibung	N-Channel 800V 8A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	8A (Tc)

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