STB120N4F6

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STB120N4F6
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
Datenblätte:	STB120N4F6.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	55933 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 55933 pcs

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Spezifikationen von STB120N4F6

Artikelnummer	STB120N4F6	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	55933 pcs	Datenblatt	STB120N4F6.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D2PAK
Serie	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (max)	110W (Tc)	Verpackung	Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	497-10768-2
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	3850pF @ 25V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	40V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 40V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	80A (Tc)

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