STB13NM50N

STMicroelectronics

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Produktübersicht

Artikelnummer:	STB13NM50N
Hersteller / Marke:	STMicroelectronics
Produktbeschreibung	MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Datenblätte:	STB13NM50N.pdf
RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Zustand des Lagers	20611 pcs stock
Liefern von	Hongkong
Versandweg	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 20611 pcs

Referenzpreis (in US-Dollar)

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Spezifikationen von STB13NM50N

Artikelnummer	STB13NM50N	Hersteller	STMicroelectronics
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK	Bleifreier Status / RoHS Status	Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge	20611 pcs	Datenblatt	STB13NM50N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Supplier Device-Gehäuse	D2PAK
Serie	MDmesh™ II	Rds On (Max) @ Id, Vgs	320 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)	100W (Tc)	Verpackung	Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Andere Namen	497-7932-1
Betriebstemperatur	150°C (TJ)	Befestigungsart	Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	1 (Unlimited)	Bleifreier Status / RoHS-Status	Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	960pF @ 50V	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Typ FET	N-Channel	FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Drain-Source-Spannung (Vdss)	500V
detaillierte Beschreibung	N-Channel 500V 12A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D2PAK	Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	12A (Tc)

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